集成电路制造工艺的关键尺寸随着“摩尔定律”一步步的缩小到了28纳米。这一制程节点是应用双重曝光之前的最后一个世代,所以对光刻与OPC(Optical Proximity Correction,光学邻近效应修正)精确度的要求也更为严格,OPC模型的误差必须被控制在极小的范围内。此外,由于工艺窗口变小,OPC模型需要具备预测全工艺窗口内图形缺陷的能力。本课题选取28纳米版图最复杂的金属层,研究了28纳米OPC模型的特点,分析了影响模型精确度的原因,设计了多组实验来优化模型参数,提高模型精度。本课题首先研究了28纳米OPC模型中的掩模版模型。探讨了掩模版模型主要的参数及其影响,通过实验总结了快速、准确的优化这些参数的方法,优化的掩模版模型大大的提高了OPC模型的精确度。其次,研究了PWOPC(Process Window OPC)模型。通过定义模型数据点对光刻能量/焦距波动的敏感度,筛选出对建立PWOPC贡献大的少量数据点,用于数据收集和建模。在保证模型精度的同时,提高了建模的效率。然后,本课题又分析了28纳米金属层的光刻胶顶部损失的成因,比较了几个光刻胶顶部损失的建模方法,选择使用蚀刻线宽模型来预测光刻胶顶部损失并进行了建模实验,模型的蚀刻线宽误差在3纳米以内,满足工艺的需求。将本课题的光刻胶顶部损失模型应用于实际芯片版图的检查,成功地检测到了若干光刻胶顶部损失的缺陷。