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紫外探测技术是一重要的军民两用的探测器技术,因此对紫外探测器的研究有着重要的意义。ZnO是一种II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料,在室温时其禁带宽度为3.37eV,激子复合能为60meV,通过掺Al可以实现对其光学禁带宽度的调制,所以ZnO基的探测器成为紫外探测器方面研究的热点。本文采用射频溅射方法分别在石英衬底和Si衬底上制备不同掺Al浓度的ZnO薄膜,简称AZO薄膜,再利用真空蒸发技术制备金属Au叉指电极,最后进行封装,制得MSM结构的紫外探测器。通过测试其光电性能对探测器的结构和性能进行分析。在石英衬底上,通过改变溅射过程中溅射气体的氩氧比,测试不同氩氧比下制得的探测器的光电性能,分析研究溅射过程氧气氛对探测器光电性能的影响,以及通过对探测器进行真空封装,比较封装前后探测器的光电性能,分析测试环境中氧气氛对探测器光电性能的影响。结果表明:溅射过程中适当的降低氩氧比以及测试环境中氧气氛的存在都有助于提高探测器的光暗电流比,但同时探测器的响应时间有所增大。通过比较不同掺Al浓度的探测器发现:掺Al 5at%和掺Al 30at%的探测器光暗电流比接近,但掺Al 5at%的电流比掺Al 30at%的电流高出接近四个数量级,且Al 30at%的探测器的响应时间明显比掺Al 5at%的响应时间小。通过测试不同辐照度下探测器的光电性能的变化发现:同一偏置电压下,光电流随着辐照度的增大不断增大,且增长的速度越来越缓慢,响应时间随着辐照度的增大有所减小。在Si衬底上,金属Au电极与AZO薄膜存在一定的势垒,通过对探测器的1/C2-V特性曲线的测试,发现Si衬底上,金属Au电极与AZO薄膜是肖特基接触,且当掺杂浓度一定时,半导体的费米能级与导带之间的宽度φn随测试频率增大而增大,同一频率下,随着掺杂浓度的增大,金属Au电极与半导体AZO薄膜的内建势不断减小,N型半导体导带能级有下弯的趋势。当掺杂浓度达到一定程度后,甚至出现简并半导体现象。掺Al 30at%的探测器在5V偏压时光暗电流比达到10:1,上升时间小于1ms,下降时间为2ms,通过光谱响应的测试,发现Si衬底上制备的探测器增大了原Si探测器在紫外区的光响应,保留了其在红外区的光响应。当探测器两端的偏置电压大于穿通电压时,发现探测器的电容随着频率的增大而减小,随测试温度的升高而增大。且外加信号电压的频率越高时,探测器的阻抗与电压之间的线性关系越明显。