转接板（Interposer）是三维集成微系统中高密度互联和集成无源元件的载体,是实现三维集成的核心材料,具有摩尔时代硅基板相当的意义。可光刻玻璃作为转接板相对硅和陶瓷具有热膨胀可调、工艺复杂度低等优点而成为研究热点,由于可光刻玻璃的损耗和集成度的问题限制了其应用推广。如何降低可光刻玻璃的损耗（提高微波性能）和减小孔径（提高集成度）是亟需解决的问题。本文针对上述问题开展了研究:选择Li-Al-Si体系的可光刻玻璃,根据多离子耦合效应设计了基础配方,探索了中和碱效应、压制效应、稳定效应、给氧能力在可光刻玻璃降低损耗中的机理和方法;通过优化光敏性能,制备了低损耗、小孔径的可光刻玻璃,主要研究结果如下:首先,通过添加光敏剂（Ce2O3）、成核剂（Ag2O）、还原剂（Sb2O5）以达到可光刻的性能。在此过程中通过优化光敏剂和还原剂的含量增强了光敏性,通过工艺参数和工艺流程的优化抑制了在熔制过程中Li2SiO3的析出制备了具有优异可光刻性能的光敏玻璃,并建立了玻璃从熔制到晶圆精加工到通孔成型的工艺平台。其次,探索了网络修饰体、网络中间体、网络形成体在可光刻玻璃中的压制效应、稳定效应、给氧能力和介电损耗之间的内在联系。适量的碱土金属网络修饰体一方面阻碍离子迁移降低阳离子在交变电场下引起的热极化和位移极化,另一方面通过连接由一价阳离子产生的非桥氧键以达到结构的稳定和平衡,从而降低可光刻玻璃的介电损耗。发现当Ca O的含量为2%时,介电损耗有最小值0.003,同时机械强度达到90 MPa。适量的网络中间体（Al2O3）通过形成[AlO4]四面体,和原来的玻璃网络中的[SiO4]相连,形成环状结构,[AlO4]会吸引一价阳离子保证电价平衡;同时由于Al3+离子半径比Si4+离子半径大,会引起相邻O2-的球形变形,在交变电场下介电损耗会有所降低。研究发现当Al2O3的含量为4%时,介电常数和介电损耗分别为5.0和0.0025。当网络形成体（B2O3）和碱金属阳离子之比小于1时,在玻璃网络中会以[BO4]为主导,由于两个[BO4]不能直接相连,因此需要[BO3]或者[SiO4]或者阳离子与之结合,使得玻璃的网络结构连接更紧密,限制了碱金属阳离子的迁移,从而降低介电损耗。研究发现,当B含量为2%时,介电损耗进一步降低为0.0015。最后,通过对影响可光刻玻璃集成度的因素（包括曝光能量、退火温度、退火时间、刻蚀时间）进行研究,得出通孔最佳条件:曝光能量为5 J/cm2、退火温度为565℃、退火时间为45 min、刻蚀时间为12 min,通孔最小可达20μm,孔密度最高可达10000/cm2。同时对经过处理后的可光刻玻璃样品进行通孔金属化验证,通过气相沉积制备种子层、电镀完善孔内金属化、机械抛光进行面铜的去除,最终得到孔内金属实心填充的转接板,为高性能三维集成微系统的研制奠定了材料基础。