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FTIR(傅立叶红外)是一种重要的半导体材料测试手段。无论是晶体生长过程中难以避免的氧和碳,还是电池制备过程中引入的氢和氮,都对晶体硅太阳电池的性能有着显著的影响。本论文主要采用傅里叶红外方法研究了多晶硅铸造过程中碳的分凝和碳在熔融硅中的扩散行为,研究了大直径单晶硅电池制备过程中氧的沉淀行为以及不同沉积方式下所形成SiNx:H薄膜的性质。实验发现,与氧在定向凝固法铸造多晶硅的轴向分布取决于生长过程中的氧的分凝和氧的挥发不同,碳浓度分布符合分凝规律,而几乎不受碳挥发行为的影响。用经典分凝公式模型较好地模拟了定向凝固法制备的太阳电池用铸造多晶硅的轴向碳浓度分布。由模拟结果得到,实验用的铸造多晶硅的实际分凝系数应为0.45,远远高于其理想平衡分凝系数0.07。根据BPS公式计算得到铸造过程中熔融硅中碳的扩散速度在4.72×10-8~4.72×10-7 cm/s之间,远远小于铸造过程的凝固速度(约3.125×10-4 cm/s)。结果表明,通过降低凝固速度很难降低铸造多晶硅硅锭有效部分中碳的浓度。研究大直径单晶硅太阳电池制备过程中氧的行为,实验发现,太阳电池用大直径直拉单晶硅存在原生氧沉淀,实验用的直拉单晶硅,头部样品原生氧沉淀量为11.2 ppma,尾部样品原生氧沉淀量为12.4 ppma。结果表明:显著不同于太阳电池用小直径单晶硅的晶体生长,不同的热场和长时间的晶体生长显著促进了硅中原生氧沉淀的生成。同时,研究了模拟大直径单晶硅太阳电池热处理的过程中氧沉淀的形成规律。实验发现,在850~950°℃范围内即使热处理16h,氧浓度也没有明显变化,说明在大直径直拉单晶硅太阳电池制备过程中不会产生明显的氧沉淀,从而不会明显地影响电池的效率。最后,还研究了电池表面经不同沉积方式下生成的氮化硅薄膜及其热处理后的性质。实验发现,对比管式PECVD和平板式PECVD,无论是原生薄膜还是模拟太阳电池制备过程的750~850 °℃的热处理规律都非常相似。