2000年以来,液晶显示器(LCD)为首的各种新型平板显示器件(FPD)得到了迅速发展,进入新型平板显示技术大发展的新时代。在TFT-LCD面板的生产过程中,高世代生产线相比低世代生产线有其固有的特点和优势,切割同样尺寸的面板,高世代线单块面板分摊的折旧费用更低,体现了投资的规模经济效应。随着薄膜晶体管液晶显示器逐渐往超大尺寸、高驱动频率、高分辨率等方面发展,由于液晶面板的尺寸变大,布线长度势必会随之增大,只能通过增大布线的面积去减小电阻。而增大布线面积的方式主要有扩大线宽或者增大铜膜厚度两种。因为增大布线面积会造成开口率降低,所以高清晰度面板一般会采用增加薄膜厚度的方式,当铜厚度需求从300nm提升至880nm以上,而厚铜会导致表面翘曲和氧化的技术难题。针对厚铜翘曲问题,本文提出了降低腔室加热温度、膜层分布沉积、在制程腔室增加冷却水装置、变更底层薄膜应力等多条改善方法。研究发现:降低Heating腔室加热温度无法有效降低成膜前基板的温度,同时可能会导致玻璃表面杂质气体没有及时脱附等问题;膜层分步沉积可以增加膜层沉积完成前的散热时间,对厚铜翘曲状况有一定的改善;在制程腔室内增加冷却水装置,可以大幅度减少薄膜沉积时加热板的温升现象,降低玻璃基板的环境温度,有效的缓解了玻璃基板翘曲的程度;可以通过变更底层薄膜的应力从而改善整个复合膜的翘曲情况,通过加大成膜功率和加大成膜气体压力都可以使应力降低,使纯钼薄膜张应力变为压应力,从而改善复合膜的翘曲情况。针对厚铜氧化问题,本文研究发现,随着Heater温度的升高,基板铜膜氧化面积增大;随着功率的减小,基板铜膜氧化面积增大。Heater温度升高,基板表面初始温度升高,成膜完成后基板表面的最终温度也随之升高,所以在基板与干燥清洁空气接触时铜膜氧化越明显。成膜功率减小,在沉积相同膜厚的铜膜时所需要的沉积时间增大,成膜过程中基板表面温度持续升高的时间增加,导致成膜完成后基板表面的温度也升高,所以基板铜膜氧化也越明显。所以,改善氧化可以从缩短溅射镀膜沉积时间、在溅射沉积过程中增加暂停时间以及延长高温遇氧的时间几个方面去实现。