C_f/SiC复合材料表面残余应力研究

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本文采用液相反应工艺制备Cf/SiC复合材料,测试和表征了其组成和形貌特征。研究了使用XRD测试Cf/SiC复合材料表面残余应力时,测试条件的选择及测试误差。测试了Cf/SiC复合材料的X射线应力常数和表面残余应力,研究了其是否存在择优取向。最后,研究了热处理后Cf/SiC复合材料表面残余应力的改变。研究发现,Cf/SiC复合材料的主要成分为:碳化硅、碳纤维和硅。利用正交试验法进行残余应力测试发现:步长对残余应力测试结果的影响最显著,狭缝的影响次之,计数时间影响不显著。X射线衍射法优化的测试条件为:步长0.01°,计数时间10s,狭缝宽度1.0mm。利用自制的四点弯曲加载样品台,测试得到Cf/SiC复合材料中SiC基体{511}和{422}晶面的应力常数分别为:-253.18MPa/deg和-121.30MPa/deg。对不同制备工艺下的Cf/SiC复合材料进行研究发现:随着渗硅温度的提高和保温时间的延长,Cf/SiC复合材料表面的残余应力由拉应力变为压应力。对Cf/SiC复合材料进行取向研究发现:Cf/SiC复合材料中,SiC基体几乎不存在择优取向。对热处理后Cf/SiC复合材料研究发现:随着保温时间的延长,Cf/SiC复合材料表面的残余应力向压应力变化,其趋势为先增大后减小。较好的热处理工艺为:热处理温度800℃,保温6h。
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