【摘 要】
：
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.传统的高选择性干法腐蚀工艺需要频繁的清洗反应腔,该文通过大量实验找出了一种选择性即高
论文部分内容阅读
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.传统的高选择性干法腐蚀工艺需要频繁的清洗反应腔,该文通过大量实验找出了一种选择性即高、又不需要经常清洗反应腔的SiO<,2>干法腐蚀工艺.工艺选用CHF<,3>和SF<,6>作为主要进给气体,通过调节CHF<,3>和SF<,6>的流量来相应的控制等离子体中有效的F:C比率.工艺策略采取两步法:第一步采用F:C比率较高的工艺条件腐蚀大块SiO<,2>;第二步采用F:C比率较低的工艺条件选择性腐蚀SiO<,2>/Si及PolySi接触界面.由于每一批腐蚀的第一步可以有效的去除上一批腐蚀的第二步在反应腔表面上所沉积的聚合物,所以该种方法可以保持反应腔的清洁,从而保证了稳定的低污染的工艺条件.
其他文献
该论文中的工作得到了国家自然基金项目的资助,在导师的悉心指导下,作者在可调谐滤彼器在DWDM中的应用作了较细致的探讨,并分析了一种典型OXC节点的可靠性并提出了增加可靠性
长江海事局、湖北省地方海事局全体同志们:rn自新冠肺炎疫情防控工作启动以来,在交通运输部党组、湖北省地方党委政府的正确领导下,长江海事局和湖北省地方海事局全体干部职
水稻是重要的主粮，其育种依赖于减数分裂过程。减数分裂是指细胞经过一次DNA复制继而发生连续两次分裂的过程，其中非常重要的环节是发生在第一次减数分裂前期的DNA双链断裂(Dou
该论文首先介绍了硅片直接键合的原理,研究了硅片直接键合工艺和硅片键合办是非曲直反应的动力学机制.比较了硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合办是非曲直反应行为.给出了硅
该文介绍了一种应用于目标识别特征提取的方法—因子分析法和雷达目标识别信号处理子系统的设计.目标特征的选择与提取对于目标识别来说是十分重要的环节,该文利用因子分析法
黄瓜枯萎病(CucumberfusariumWilt)又称萎蔫病、蔓割病，是一种世界性的植物维管束病害。1925年Weber首次报道在美国佛罗里达州发生。该病由半知菌亚门，镰刀菌属尖孢镰刀菌(Fusa
研究了适合于作爆电电源的Nb-PZST铁电-反铁电陶瓷材料在温度和等静压下的爆电性能、介电性能和相变性能,发现反铁电-铁电-顺电相变,铁电相中有介电频率弥散现象;从介电谱上
该论文工作旨在研究器件和工艺设计领域中的一种新的设计方法学,即工艺综合方法学(Process SynthesisMethodology),并以对该方法学的研究和发展为基础,开发了一套工艺综合软
该文选取最有希望并入Si CMOS电路的平面SiGe PMOSFET器件进行研究,在全面总结应变SiGe材料物理参数模型基础上,以半导体器件二维数值模拟程序MDEICI为手段,探讨了SiGe PMOS
研究分为两个部分：利用时域有限差分法建模和自适应噪声对消法抵消直达波.论文首先叙述了时域有限差分法的基本原理,通过实验数据对比了两种吸收边界条件的精度,并选择Liao吸