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钛酸锶钡(BST)薄膜具有较高的介电常数和较低的介质损耗,在动态随机存储器(DRAM)、传感器、探测器等方面应用前景广阔。本文旨在采用Sol-Gel法,通过掺杂Sn元素改善BST薄膜的介电性能,并采用溶胶—凝胶与化学修饰相结合的新技术制得BST薄膜的微细图形。采用紫外—可见光光度仪、X射线衍射仪、LCR数字电桥等手段,分别探讨了光敏性溶胶的感光性、薄膜晶体结构及各种因素对薄膜介电性能的影响,结论如下: (1)用SrCl_2作为锶源,用Ti(OC_4H_9)_4、BaAc_