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该文通过对量子阱半导体激光器的光增益理论的分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的结构进行了优化设计.研究了影响MBE生长GaAs,AlGaAs单晶材料质量的一些主要因素.采用MBE生长了GaAs/AlGaAs多量子阱结构激光器材料.并从实验上研制出高功率GaAs/AlGaAs GRIN-SCH多量子阱半导体激光器.器件在条宽100μm,腔长800μm时的连续输出功率为200mW.