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InAsSb是一种含锑合金半导体材料,能够通过调节组分获得0.1~ 0.36eV范围内的禁带宽度值(相应波长范围3.4-12.4μm) ,在所有Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中最低。它在各种光电器件中都具有潜在的应用价值,如激光器、发光二极管、光探测器等等,可工作在3~5μm和8~14μm两个大气窗口。本论文的主要工作是研究中红外InAsSb材料的金属有机化学气相淀积(MOCVD)生长特性。首先,采用低压MOCVD系统生长InAsSb材料,掌握了含锑材料的MOCVD生长技术。再次,采用各种表征方法对InAsSb外延层进行表征。用1000倍光学显微镜观察外延层的表面形貌;对外延层进行X射线衍射分析,研究其结晶质量,确定其晶格常数和组分;用范德堡霍尔法测试外延层的电学特性,研究其载流子迁移率、载流子浓度、导电类型等电学方面的性质。利用各种材料表征结果结合其生长参数,详细讨论各生长参数对InAsSb材料性能的影响。通过本工作掌握了InAsSb材料MOCVD生长的控制技术,并通过对实验结果的分析讨论了各生长参数对材料性能的影响,获得了最佳质量材料的生长参数。由于未来的主体工作是研究GaInAsSb四元合金的MOCVD生长方法和生长特性,并制作基于此材料的热光伏(TPV)器件。与InAsSb材料相比,GaInAsSb只多了一种组元Ga,两者各种性能都非常相似。因此,对InAsSb材料生长特性的研究,有利于将来生长高质量的GaInAsSb材料,为未来的工作奠定基础。