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石墨烯是单层碳原子薄膜，具有二维平面六边形蜂窝网状结构，它独特的结构决定其优异的电学性质、光学性质、热力学性质、化学性质，使其在电子器件、复合材料、储能材料、光电材料等方面具有广阔的应用前景。石墨烯的制备方法有微机械剥离法、氧化石墨还原法、外延生长法、化学气相沉积法等方法。本文用化学气相沉积法从碳源、基底、生长条件各方面对石墨烯的制备工艺进行了探究。本文选取氧化锌作为化学气相沉积法生长石墨烯的基底，氧化锌基底通过反应射频磁控溅射方法制得。在保持磁控溅射的压强（3.0Pa）、氩气（8sccm）和氧气（12sccm）流量、沉积温度（常温）、溅射时间（90min）等条件不变的情况下，改变锌靶的溅射功率分别为300W，250W，200W，150W，在硅（111）上制备了不同的氧化锌基底。经过测试表征可得，随着锌靶的溅射功率的增加，氧化锌薄膜的结构及形貌逐渐变好，因此，后面主要以300W和250W两种条件下制备的氧化锌为基底生长石墨烯。以苯为碳源，用化学气相沉积法生长石墨烯，对生长温度、苯的流量、反应时间、不同基底等生长因素进行了对比分析。得到结论是：在生长温度800℃、苯的流量10μl/min、反应时间15min的条件下，在氧化锌薄膜衬底上生长的石墨烯较为理想。在上述条件下，分别对300W和250W溅射功率下制备的氧化锌基底上生长的石墨烯进行了多种测试，结果表明在300W的氧化锌基底上生长的石墨烯很薄，分布较均匀，表面较平整。并进一步对300W氧化锌基底上生长的石墨烯做透射电镜测试，表明形成的石墨烯层为粗糙不平的连续薄膜，卷曲的石墨壁组成蜂窝状的碳薄膜。凹陷处由石墨壁围成，大小是10~100nm，石墨壁的厚度大约4~5nm，对应为少量层数石墨烯，但石墨薄片是完全非晶和无序的。同时，对在氧化锌基底上生长石墨烯做了理论分析。