近二十几年,随着InGaN/GaN LED技术的不断进步与成熟,促使其应用范围越来越广,尤其在通用照明及显示领域已经渗透到人们生活的方方面面。同时,终端应用的扩张也对器件的要求越来越高,除了对持续提升光效的需求之外,器件的可靠性,比如结漏电及ESD（electrostatic discharge）性能,也是行业非常重视的一个方面。LED的可靠性涉及到材料生长、芯片制作、封装及应用等各个方面,这里主要从材料生长过程中的掺杂这个角度来进行研究,理清部分单层掺杂水平与器件漏电及ESD性能之间的关系,并用来对LED进行综合优化,以满足市场需求。本文基于已有的关于InGaN/GaN LED的结漏电改善和ESD性能提升的外延材料生长理论和方法,进一步重点研究了位于n-GaN和MQW（multi-quantum well）之间的被命名为FB1层（多量子阱之前生长的第一个势垒层）的GaN单层Si掺杂浓度对LED芯片不加反向ESD时的结漏电及加反向ESD后的结漏电情况的影响。相关实验分别在AIXTRON CRIUS II机型生长的两寸蓝光外延片和VEECO K465I机型生长的四寸绿光外延片上进行开展,并得到了一致性的普适性的结论:增加FB1层的Si掺杂浓度可以有效降低LED芯片加ESD后漏电失效比例,但是会导致不加ESD时芯片漏电失效比例的上升,由于LED需要满足无论不加ESD还是加ESD都要达到漏电控制的要求,所以实际工程应用时需要尽量平衡上述存在矛盾的两个方面的影响,以获得最高的综合成活率与经济收益。根据所要生产芯片的尺寸,给出了方向性的掺杂浓度调整策略:当外延片用于制作尺寸较小的芯片时可以适当增加FB1层Si掺杂浓度以增强其ESD承受能力,降低加ESD后芯片漏电失效比例。反之,当外延片用于制作尺寸较大的芯片时可以适当减少FB1层Si掺杂浓度以降低其不加ESD时芯片漏电的失效比例。基于以上调整策略,最终获得不同尺寸芯片产品成活率的最大化。同时,对于上述结论背后的机理也进行了讨论,明确了是由于FB1层Si掺杂浓度的增加会增大LED芯片的内部电容,从而增强其对ESD的吸收能力,降低芯片被击穿漏电的概率,提升其综合成活率。