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石墨烯以其独特的电子特性和应用潜力成为现代科学的研究热点.与三维晶体一样,石墨烯结构缺陷对其物理性能产生重要影响,例如点缺陷、置换位错等对石墨烯的电学和力学性质产生重要影响,因此研究石墨烯的位错产生及运动是非常重要的.石墨烯中位错运动的过程可看作分子的构象变化,即石墨烯从一个稳定状态变化到另一个稳定状态.而构象变化过程中的关键状态――过渡态很难在实验中找到,因为出现的概率很低,且寿命很短,而计算机模拟可以抓住这些状态.常用的计算模拟方法主要有string方法、NEB(nudged elastic b