多晶薄膜光电探测器经常具有若干缺点,例如缺陷种类不可控、晶界散射和表面氧分子吸/脱附过程,阻碍了它们在高性能UV光电探测中的实际应用。在这项工作中,我们通过两步退火工艺在ZnO纳米晶中引入了受主型锌空位(V_Zn)缺陷,这已经通过缺陷敏感的电子顺磁共振（EPR）技术进行了证实。退火参数的优化可以很好地调节V_Zn浓度并使器件拥有自驱动行为,这被认为是由受主缺陷提高电子-空穴分离效率引起的。另一方面,金属锌的沉积可以在ZnO纳米晶表面和晶界处形成丰富的界面导电通道,用于高效的电荷提取和传输。优化后,器件的响应度从5.3×10^-3增加到15.3 A W^-1,平均响应和衰减时间保持在36.6 ms和101.8 ms。导电原子力显微镜（CAFM）扫描结果还证实了退火后光电流在多晶薄膜中的均匀分布,表明晶格缺陷和晶界导电通道的协同作用的重要性。该研究为氧化物纳米晶光电探测器件的优化设计提供了新的思路,为未来的低成本、低功耗的微纳光电器件发展方向提出新的可能性。宽谱光电探测器具有极为广阔的应用前景。这项工作主要围绕原位自组装的磷烯/ZnO（ZB）复合异质结纳米颗粒及其在宽带响应光电探测器件中的应用展开。ZB薄膜光电探测器件始终表现出了从紫外（380 nm）到近红外（785 nm）的宽带响应,且具有响应速度快,响应度高的优异性能。响应速度快、响应度高归因于宽带光子吸收增强、高效的激子分离。此外,与已报道的黑磷基光探测器件相比,该器件在空气环境中的测试表现出了优异的稳定性。根据实验结果论证,器件优异的抗氧化能力源于磷烯的孤对电子的快速转移。磷烯/ZnO纳米异质结的独特组装为多功能宽带响应探测器件的发展注入新的活力。