磁控电抗器的损耗研究

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磁控电抗器(Magnetic Controlled Reactor, MCR).系统的损耗主要包括铁芯损耗、绕组损耗、半导体器件损耗以及由漏磁产生的杂散损耗等。各项损耗最终都会以热的形式在电抗器内部产生温升效应,导致局部绝缘老化,进而危害电抗器的安全、经济运行。因此,对磁控电抗器损耗问题进行研究,得出各部件的损耗分布,总结出一些降低损耗的实用措施,不仅可以为电抗器生产厂家减少材料成本,也可以为设备运行方降低维修机率并节省电能,具有实际的工程应用价值。本文主要研究磁控电抗器的损耗机理和降损措施。论文首先阐述了磁控电抗器的结构、原理和工作特性,介绍了电抗器本体的各种损耗机理。紧接着论文对磁控电抗器的损耗进行了编程计算和有限元电磁仿真,通过建模计算出电抗器在偏磁状态下的支路电流、磁滞回线、磁滞损耗和电阻损耗,并利用有限元仿真在Ansoft环境下对磁控电抗器进行了电磁场和损耗仿真。随后论文介绍了磁控电抗器本体设计的流程,通过有限元仿真结果推断出一些实用可行的降低电抗器损耗的措施。最后针对磁控电抗器的损耗特性和降损措施展开试验,对电抗器的工作电流、总损耗、各相损耗、各部件损耗进行了详细的测试,验证了降损措施的有效性。文章的创新之处在于利用仿真结果来指导电抗器设计,提出了电抗器性能优化特别是降损方面的措施,试验结果表明实际损耗情况与仿真结果基本一致。目前,对磁控电抗器损耗方面的研究取得了较大的成功,这些降损措施应用到实际的设计生产过程中,起到了良好的降损作用。
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