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第一部分常压高氧暴露未成熟脑损伤中Notch信号的活化目的：检测Notch信号通路在常压高氧暴露引起的未成熟脑组织损伤中的变化。方法：SPF级健康野生型新生3天(P3)C57BL/10J小鼠46只,随机分为对照组(空气组,A组),和高氧暴露组(H组),于P3进行持续高浓度氧(90%)暴露48h, P3、P5、P12、P28四个时间点进行小鼠体重和脑重测量；P5麻醉后断头取脑(1)冰冻切片免疫荧光检测脑组织中凋亡信号(Caspase-3)与少突胶质祖细胞标记(NG2+)共表达情况；(2)全脑组织mRNA提取,行实时荧光定量PCR (qRT-PCR)检测Notch信号通路活化标记物NICD和Hes1基因表达变化。结果：P3新生鼠常压高氧暴露后体重与脑重于P5、P12时间点均明显低于A组(P<0.05),虽然体重在P28与A组无明显差异,但脑重仍然显著低于A组(P<0.05)。冰冻切片免疫荧光结果显示高氧暴露后大量凋亡信号(Caspase-3)与少突胶质祖细胞(NG2+)存在共表达,提示高氧暴露引起P5小鼠脑组织中大量NG2+少突胶质祖细胞凋亡。qRT-PCR结果显示高氧暴露导致Notch信号通路活化标记物NICD和Hes1 mRNA表达显著升高(P<0.05)。结论：P3新生小鼠常压高浓度氧暴露导致P5、P12、P28小鼠体重、脑重下降,P5小鼠脑组织NG2+细胞凋亡增加；同时,常压高氧暴露致未成熟脑组织中Notch信号通路活化。第二部分DAPT抑制Notch信号通路后常压高氧暴露脑损伤的变化目的：观察DAPT抑制Notch信号通路后常压高氧暴露脑损伤的变化情况,进一步确定Notch信号通路与高氧脑损伤的关系。方法：SPF级健康野生型新生3天(P3) C57BL/10J小鼠104只,随机分为对照组(空气组,A组),高氧暴露组(H组),DAPT+空气组(DA组)和DAPT+高氧组(DH组),于P3进行持续高浓度氧(90%)暴露48h；其中DA组与DH组于通氧前1h给予1,-分泌酶抑制剂DAPT单次腹腔注射(10mg/kg)。(1)P5麻醉后断头取脑,全脑组织mRNA提取qRT-PCR检测Notch信号通路活化标记物NICD和Hes1基因表达变化；(2)于P3、P5、P12、P28四个时间点进行小鼠体重和脑重测量；(3)P12脑组织冰冻切片免疫荧光检测脑组织中少突胶质祖细胞(NG2+)和成熟少突胶质细胞(MBP)表达情况；(4)Morris水迷宫检测P28时间点小鼠空间学习记忆能力变化。结果：1.DAPT预处理后,常压高氧暴露引起的NICD和Hes1基因表达水平显著降低(P<0.05)；2.经DAPT预处理后的高氧组小鼠P5、P12和P28时间点体重与脑重均明显高于H组(P<0.05)；3.新生鼠常压高氧暴露导致P12小鼠未成熟脑组织中NG2+少突胶质祖细胞明显增多,而成熟少突胶质细胞(MBP+)明显减少；但经DAPT预处理后(DA组)可见MBP表达较NG2表达明显增多,且DH组NG2表达较H组明显减少,MBP表达较H组明显增多。4.新生鼠常压高氧暴露导致P28小鼠空间学习记忆能力(包括定位航行实验和空间探索实验两部分)较A组均明显下降(P<0.05)；但DAPT预处理后高氧暴露(DH组)小鼠空间学习记忆能力较H组显著改善(P<0.05)；而DA组小鼠空间学习记忆能力较A组无明显差异(P>0.05)。结论：新生鼠常压高浓度氧暴露导致脑组织中少突胶质祖细胞凋亡增加且分化成熟障碍,引起小鼠远期学习记忆能力障碍,而常压高氧激活的Notch信号通路参与上述病理过程。使用Y-分泌酶抑制剂DAPT阻断Notch信号通路可以明显改善新生小鼠常压高氧暴露造成的未成熟脑组织损伤和行为学异常.。