本文首先对热电现象、热电材料的发展历史以及Mg₂Si基热电材料的研究进展作了比较详细的综述。已有的研究表明，以Mg₂Si为基、通过掺杂得到的固溶体是优秀的中温区（400-700K）热电半导体材料。 本文应用热力学理论对Mg₂Si制备过程进行了讨论，并探讨了固相反应进行的可能性及工艺制度的确立。结果表明在该体系中，可以通过低温固相反应合成Mg₂Si化合物粉末，同时在体系中MgO是非常容易生成，这主要是因为Mg在较高温度下容易挥发并与残留在反应容器内的O₂进行反应的结果，同时在降温过程中Mg₂Si也容易被氧化。MgO对材料的热电性能是极其有害的，为此必须对制备工艺进行优化和改进，尽量避免MgO的生成。 本文选择Ag元素作为掺杂元素，通过二次固相反应制备出p型Mg₂Si基热电材料。研究结果表明，用低温固相反应可以在制得Mg₂Si粉末的基础上掺杂而对纯Mg₂Si的热电性能进行改进。随着掺杂量的增大，材料的Seebeck系数有所增大，电导率增加明显，而热导率没有明显的变化。掺杂Ag浓度为15000ppm样品的Z值和ZT值均为最大，分别为18.2×10^-6K^-1和0.01。 本文选择了纳米BN粉以改变Mg₂Si基热电材料的热电性能。研究结果表明，当在Mg₂Si基热电材料中掺杂少量的BN纳米粉后，即可以使材料的热导率降低很多，同时也会使材料的电导率有所降低。但整体看来，掺杂少量的BN纳米粉对材料的热电性能是有利的。