N掺杂对a-IGZO TFT缺陷调控与a-IZO/a-IGZO复合沟道TFT电学性能仿真研究

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透明非晶铟镓锌氧(a-IGZO)基薄膜晶体管(TFT)以其具有驱动能力强、光学透过率高、大面积制备均一性好、功耗低等优点,作为核心器件应用于新一代显示驱动技术中。尽管a-IGZO TFT表现出优异的器件性能,但由于a-IGZO沟道材料的晶格结构无序性,在材料中存在高密度的亚带态缺陷,严重影响a-IGZO TFT的器件性能与可靠性。近年来,原位氮掺杂技术被提出抑制a-IGZO TFT器件中亚带态相关缺陷,进而提升器件的电学性能与可靠性。但是氮掺杂对a-IGZO TFT器件中亚带态缺陷密度分布的影响尚不清楚,为了进一步揭示氮掺杂对器件性能与可靠性改善的机理,需要深入系统地研究氮掺杂对a-IGZO TFT缺陷态密度的影响;同时,随着现代显示技术向高分辨率、大尺寸等方向发展,薄膜晶体管需具有更高电子迁移率及高稳定性等特点。基于此,本论文采用TCAD仿真开展了氮掺杂对a-IGZO TFT亚带态缺陷密度分布的影响及IZO/IGZO复合沟道对TFT电学特性的影响的研究。主要工作和结果如下:1.利用Silvaco TCAD仿真工具,开展了不同氮掺杂比率的a-IGZO TFT的器件性能与可靠性(偏压、单色光照射与负偏压光照)的实验拟合。结果发现,适量的氮掺杂比率能够显著降低a-IGZO TFT的界面、带尾态和深能级氧空位相关缺陷态的密度,这与器件在应力条件下电学性能和稳定性的提高相吻合;当过量的氮掺入a-IGZO TFT时,器件的相关缺陷密度增加,导致器件性能和可靠性退化;同时,发现过量的氮掺入将引入氮相关的尾态缺陷,进而导致a-IGZO TFT器件的亚阈值摆幅退化。2.为了进一步提高a-IGZO TFT器件的场效应电子迁移率,使用Silvaco TCAD仿真工具,开展了具有高导电性的a-IZO与a-IGZO复合沟道TFT器件性能与可靠性研究。首先,研究了沟道材料a-IZO/a-IGZO厚度比对器件特性的影响。仿真结果表明,沟道材料厚度比为5:40,TFT器件表现出优异的电学性能,如阈值电压为1.0 V,亚阈值摆幅为0.09 V/dec,场效应电子迁移率为31.1 cm~2/V?s,电流开关比为1010;同时,发现a-IZO/a-IGZO TFT性能的改善与沟道材料界面处形成电子导通路径(副沟道)有关。其次,研究了沟道材料的界面缺陷以及沟道材料中氧相关缺陷对TFT器件可靠性的影响。通过建立并调整态密度模型参数,发现随着界面尾态受主缺陷密度的增加,器件阈值电压和亚阈值摆幅增大;当a-IZO层引入后钝化了TFT器件相关缺陷密度,进而a-IZO/a-IGZO TFT的电学可靠性显著改善。
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