【摘 要】
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CuInSe和Cu(In,Ga)Se多晶薄膜由于其性能稳定性和较高的光吸收系数等众多的良好性能,成为太阳能光伏应用中的重要材料.在该文中,我们使用电镀法在机械抛光后的Mo衬底上制备了
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CuInSe<,2>和Cu(In,Ga)Se<,2>多晶薄膜由于其性能稳定性和较高的光吸收系数等众多的良好性能,成为太阳能光伏应用中的重要材料.在该文中,我们使用电镀法在机械抛光后的Mo衬底上制备了CuInSe<,2>多晶薄膜.通过调整沉积电位,我们得到了满足化学计量比的合金膜.沉积后的薄膜经过短时间的真空退火处理,以研究这种退火方式对薄膜结晶性能的影响.
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