【摘 要】
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氧化铪薄膜因其高的介电常数进入人们的研究视野,成为MOSFET中代替SiO2绝缘栅介质膜层的材料。随着锆铪分离技术的进步,人们对金属铪及其化合物的研究越来越多,铪的应用已经不仅仅是在核工业中。氧化铪所表现出来的一系列优异性能,尤其是在从可见到远红外波段良好的透过性,证明它有作为宽波段增透保护薄膜的潜力。本文综合讨论分析了氧化铪、氮化铪及氮氧化铪薄膜的制备方法,以对薄膜结构影响较大的工艺条件为研究对
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氧化铪薄膜因其高的介电常数进入人们的研究视野,成为MOSFET中代替SiO2绝缘栅介质膜层的材料。随着锆铪分离技术的进步,人们对金属铪及其化合物的研究越来越多,铪的应用已经不仅仅是在核工业中。氧化铪所表现出来的一系列优异性能,尤其是在从可见到远红外波段良好的透过性,证明它有作为宽波段增透保护薄膜的潜力。本文综合讨论分析了氧化铪、氮化铪及氮氧化铪薄膜的制备方法,以对薄膜结构影响较大的工艺条件为研究对象确定了薄膜制备时的工艺参数。以反应磁控溅射方法制备了薄膜样品,分别在不同工艺条件下制备了氮化铪
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