氧空穴掺杂的纳米氧化铁光解水的研究

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理论预测曾表明纳米氧化铁(α-Fe2O3)具有高达16.8%的光解水效率,对应的光生电流密度也可高达12.6mA·cm-2,同时,与TiO2、ZnO和WO3等半导体光催化剂相比,纳米α-Fe2O3还具有禁带宽度适宜(2.1-2.2eV)、水环境中性质稳定、地球上储量丰富和价格低廉等优势,而这些优点使其成为目前光解水研究的热点材料之一。但是在实际的应用过程中,导电性差、激发态载流子寿命短(10-12s)和空穴平均自由程短(约2-4nm)等缺点的存在使纳米α-Fe2O3的光解水性能远低于理论的预测值。为了提高纳米α-Fe2O3的光解水性能,掺杂、形貌控制和表面处理等方式是人们常用的方法。在本论文的第二章,我们通过系统地控制纳米α-Fe2O3样品在退火过程中的氧分压,有效的实现了样品中氧空穴-自掺杂含量的调控,增强了其导电性,提高了其光解水性能。在随后的研究中,我们对Ti-掺杂的纳米α-Fe2O3样品进行了相同的退火处理,从而实现了氧空穴和Ti的协同掺杂效应并进一步提高了纳米α-Fe2O3的光解水性能,使其在1.23V vs.RHE处的光生电流密度达到了2.25mA·cm-2,在1.6V vs. RHE处的光生电流密度高达4.56mA·cm-2。而且,与未掺杂样品调控氧空穴时所需的苛刻条件相比,Ti-掺杂降低了实验条件的需求,因此方便和易于氧空穴的引入,这一发现使得氧空穴-自掺杂对α-Fe2O3样品的改性在实际应用中得以更广泛地应用。与其他制备方法相比,水热法制备纳米材料具有方法简单,对设备和原料要求不高,成本相对较低,实际应用中可操作性强的特点,因此利用水热法制备纳米α-Fe2O3更加简单易行。在本论文的第三章中,我们对水热法制备纳米α-Fe2O3的生长条件进行了优化,通过调控先驱溶液中HCl的浓度,制备了纳米棒状形貌、性能明显改善的纳米α-Fe2O3样品。虽然这一探究并未大幅提高未掺杂α-Fe2O3样品的光解水性能,但是我们认为积极探究并严格调控水热合成的基础条件,对合成性能优良、性质稳定的α-Fe2O3光催化材料,及深入理解水热合成机理都具有非常积极的意义。在本论文的第四章中,我们利用Co-Pi体系对Ti-掺杂纳米α-Fe2O3样品进行了改性处理;此外,我们还将水热合成铁源变为FeNO3·9H2O,并通过缺氧退火处理制备了含有氧空穴的纳米α-Fe2O3样品,虽未对氧空穴的含量进行优化,但是样品已具有较好的光催化性能。由此证明原有文献报道中铁源为FeNO3·9H2O时不能引入氧空穴的结论是有不成立的。
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