静态随机存储器(static random access memory, SRAM)具有可靠性高、存取速度快及能够和逻辑电路相兼容的特点,使得它在高性能处理器和片上系统(system on chip, SOC)结构中占据了重要的地位。对SRAM存储单元的研究具有十分重要的意义。本文以低功耗、高稳定性和较好的读写能力的SRAM存储单元为设计目标,提出了一种新型SRAM十二管存储单元结构,和传统SRAM单元相比,新型存储单元结构提高了写裕度,读稳定性,同时解决了半选问题。本文主要研究工作如下：首先研究了传统六管、四管、七管和八管存储单元,分析了它们在读、写和保持状态下工作原理和优缺点。并对他们的性能做了简单对比,从结构上给出了性能差异的原因。其次,随着工艺制程技术提高、电源电压的下降以及存储容量的增大,SRAM存储单元的软错误率越来越高,SRAM存储阵列在设计中广泛采用了位交错技术来解决软错误问题,但是位交错结构会带来半选问题。本文分析半选问题产生原因以及新型存储单元结构解决半选问题原理。最后,在65纳米1.2VCMOS工艺下对新型存储单元的写能力,稳定性和功耗分别进行仿真,并和传统六管单元进行对比。仿真结果表明新型存储单元结构比传统六管单元写裕度提高0.4倍,读噪声容限提高1.3倍,MUX为4时128单元动态读和写功耗分别下降了81.3%和88.2%。