随着现代电子器件的高度集成化,其在运行过程中会产生大量的热,热量的积累就会影响电子元器件的寿命和稳定性。所以,散热就成为电子器件中至关重要的环节。由于不同材料相互接触时会产生界面,界面对热流有阻碍作用,所以对于界面热传导的研究就变得尤为重要。在本论文中,我们通过实验的方法对两种异质结体系界面热阻进行了研究。实验方法主要应用的是操作相对简单、测量结果准确、温度适应范围广的3ω法。首先,我们对测量系统进行了搭建。该测量系统包括锁相放大器(Lock-in Amplifier)、6221交流恒流源、外接电路盒、Labview数据收集系统、真空温控装置。为了降低热辐射对热导测量的影响,我们将真空控温装置和测量系统连接,提供高真空、温度恒定环境,保证了测量的稳定性。搭建好测量系统后,我们首先对测量系统的可靠性与稳定性进行了验证,测量了块体硅的热导率和二氧化硅薄膜的热导率,在误差允许范围内,结果与理论值一致。基于搭建好的测量系统,我们首先对二氧化硅/硅异质结界面(非金属/非金属界面热阻)进行了研究;然后对铜/硅异质结界面(金属/非金属界面热阻)进行了研究。对于二氧化硅/硅结构,用3ω方法得到界面热阻大小为2.002×10-8m2KW-1。为了探究温度对二氧化硅/硅界面热阻的影响,我们将此结构置于真空控温仪器中,发现,在100K-300K范围,随着温度的升高,界面热阻降低。对于·铜/硅异质结界面,通过改变材料间的加载压力,发现随着压力的增大,界面热阻会随之减小。究其原因是由于界面之间的接触表面比较粗糙,随着加载压力的增加,界面间的空隙被压缩,接触面积增大,导致界面热阻降低。我们在铜/硅之间填充热界面材料二硫化钼来研究界面热阻的的变化,发现填充此界面材料将会增大界面热阻,这可以通过热阻的串联来解释。