本文通过理论分析结构参数对结型半导体桥电爆性能以及安全性能的影响规律,设计制作了四种不同桥区形状尺寸、两种掺杂浓度的结型半导体桥。在电容放电作用下,对结型桥进行了点火实验,研究了该新型起爆元件的作用机理以及发火性能。并且对结型半导体桥进行了静电放电试验和lA1W5min不发火实验,主要得出以下结论：(1)低掺杂浓度的单晶硅芯片制作的结型半导体桥,在放电电容分别为44.8μF、32.3μF以及22.7μF,充电电压为160V时,发生了雪崩击穿,能可靠点火。(2)高掺杂浓度的结型桥在电容放电作用下,主要发生了齐纳击穿,换能元无法产生硅等离子体,从而难以迅速可靠的对药剂进行点火。因此,在设计结型半导体桥时,要选用n型掺杂浓度合适的单晶硅片。(3)n型单晶硅的掺杂浓度对结型半导体桥的击穿电压及电爆特性影响较大。(4)电容放电作用下,储能放电电压低于击穿电压时,电路中的电流几乎为零,结型半导体桥展现出了良好的直流封堵特性。(5)在静电和射频作用下结型半导体桥的性能未发生变化,表明结型半导体桥对静电、射频以及杂散电流具有良好的防护能力。经过静电放电以及lAlW5min不发火实验的结型半导体桥,均能正常发火。