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随着显示技术的发展,氧化物TFT由于其具有高透过率、载流子迁移率和可以低温制备等优点,已经成为了研究热点。但是目前的氧化物TFT主要集中于n型,比如IGZO-TFT,ZnO-TFT等,p型氧化物TFT材料基本上很少,且性能远远达不到n型TFT的水平。而且P型氧化物TFT不仅仅只局限于AMLCD和AMOLED中的应用,还可以与n型氧化物TFT结合在一起形成全氧化物的CMOS和p-n二极管。因此,很有必要展开对于p型氧化物的研究。本文中,采用磁控溅射法制备了有源层Cu2O薄膜并研究了其性能,制备了Cu2O-TFT并研究了其电学性能,主体内容分为以下三个部分:1.Cu2O薄膜的制备。以金属Cu为靶材,采用用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备出薄膜样品。探索出制备纯相的Cu2O薄膜工艺具体参数是:溅射功率为50W、氧氩比为5sccm/70sccm、工作压强为1.8pa。在上述工艺条件下,研究了不同衬底温度对Cu2O薄膜薄膜的结构和光学性能的影响,结果表明衬底温度的升高有助于薄膜生长质量的提高。研究了不同Cu2O薄膜厚度对于光学性能的影响,结果表明薄膜的透过率随着薄膜厚度的增加而减小。2.Cu2O-TFT的制备。实验过程中以重掺杂的p-Si作为衬底及栅极,SiO2为栅极绝缘层,利用磁控溅射的Cu2O薄膜为半导体有源层,电子束蒸发法制备的Al薄膜为源漏电极,采用光刻工艺和剥离工艺制备出了底栅顶接触型的Cu2O-TFT。研究了不同有源层厚度对于TFT电学性能的影响,结果表明TFT器件性能随着有源层厚度增加有从变好再到变差的趋势,当有源层Cu2O薄膜厚度为105nm时迁移率为6.1×10-2 cm2/Vs、开关比为4.5×102。3.研究了经过热处理后的Cu2O-TFT的电学性能的变化,结果表明热处理能够有效的降低有源层薄膜中的缺陷,最终提高器件的电学性能。最后对TFT的稳定性进行了分析。