金刚石在超硬材料刀具、高透波率光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景,但是金刚石的难加工性限制了其更加广泛的应用。动摩擦抛光技术是一种较为高效的金刚石加工方法,该技术通过金刚石的石墨化反应达到材料快速去除的目的。现有动摩擦抛光盘主要包括纯金属抛光盘和金属基陶瓷复合材料抛光盘,纯金属抛光盘在制备过程中需要足够的机械合金化时间,而采用原位生成法制备的金属基陶瓷复合材料抛光盘需要足够的陶瓷原位生成时间来保证陶瓷颗粒的充分合成,以上两种抛光盘的制备均存在制备周期长的问题。针对上述问题,本文首先分析了金刚石石墨化以及金属催化机理,并基于粉末冶金法对抛光盘的制备以及抛光盘的性能展开研究,主要研究内容如下:（1）对金刚石石墨化机理开展研究,发现降低反应活化能是加快石墨化反应的主要措施。对过渡金属催化机理开展研究,发现Fe Ni Cr合金中的未配对d电子与金刚石表面的空位键成键能力强,同时具有极强的溶碳能力,可以作为抛光盘中的触媒金属。对金属材料的增强机理开展研究,确定了通过添加第二相陶瓷颗粒来强化Fe Ni Cr抛光盘的机械性能。（2）对抛光盘的制备工艺展开研究。研究了陶瓷与液相金属的湿润性对两相材料界面结合质量的影响,结果表明Ti C适合作为Fe Ni Cr合金的增强体。研究了烧结温度对Ti C与Fe Ni Cr界面结合质量的影响,确定抛光盘的最佳烧结温度为1025℃。研究了Ti C占比对抛光盘的影响,确定抛光盘Ti C的最高占比为15 vt%。（3）对动摩擦抛光盘性能开展研究,结果表明当抛光盘中Ti C占比为15 vt%时,金刚石平均去除率最高,达到了9.88μm/min,抛光表面粗糙度最低,仅为Sa 0.023μm,同时金刚石表面的金属粘附层较少。对动摩擦抛光工艺开展了研究,结果表明当抛光压力达到60 N,抛光温度在480℃时,金刚石的去除速度最快,高达53.4μm/min。对金刚石和抛光盘表面进行X射线衍射分析和拉曼光谱分析,结果表明氧化反应的参与和C在抛光盘中的较为彻底的扩散是金刚石去除率高的原因。