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近些年来,Al或Ga掺杂的ZnO透明导电氧化物薄膜,以其价格低廉,无毒性,在H2等离子气氛中性质稳定等优势,而受到研究者的广泛关注,然而,人们对该体系的导电机理的认识仍然处于半经验阶段。因此,我们以ZnO:Al为研究对象,对其电输运性质进行了研究。我们采用射频磁控溅射法分别在Al_2O_3(0001)和Al_2O_3(1102)基底上制备了一系列Al原子百分含量为4 %的ZnO:Al薄膜,基底温度分别为:623、723、823、873、973 K,考虑维度对其电输运性质的影响,我们又在7