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闪存(FLASH)具有存储容量大、读写速度快、数据非易失性好、成本低廉、良好的并行性等特征,已成为国内外IC市场的最热门产品之一。目前国内主流的NOR FLASH芯片公司的产品仍多数为基于串行标准接口的NOR FLASH芯片,而基于并行标准接口的NOR FLASH芯片的研究起步较晚,国内芯片厂商几乎没有大规模量产该类产品。因此,如何设计并研发成本较低,性能卓越的并行接口NOR FLASH芯片,对我国在自主研发FPGA、SOC等芯片领域的推广以及相关产业的持续进步和发展至关重要。本文结合FLASH存储器的特点,设计并实现了一款基于并行标准接口的NOR FLASH存储器芯片的擦写控制器组件。与传统FLASH芯片擦写控制器相比,为实现对芯片内部单个Block模块进行擦写保护,避免误操作,在传统擦写锁定操作,解除锁定操作的基础上,新加入锁死操作,降低误操作导致内部数据出错的可能性;基于传统写入操作,本文设计并改进多重写入操作、快速写入操作两种快速写入方式,在满足用户的多种写入需求的同时,缩减了写入耗时,提高芯片效率;最后,在基本的擦写操作基础上,可以实现编程暂停与恢复以及擦、写、读操作之间某些固定操作的多重操作组合;在很大程度上增加了芯片的实用性。针对传统VMM验证平台可移植性差的缺点,本文搭建一款可重用性高,能够完美兼容芯片ST验证与UT验证,实现Double-checker,且可满足目前大多数FLASH芯片验证需求的验证平台;为监视Flash芯片的直流信号组合情况,针对传统SVA验证工作耗时非常大的缺点,加入双重SVA监测开关,使得SVA组件不仅可以非常方便的实现整体调用与停用,也可以通过测试案例对SVA组件中的某些Assertion进行开启或者关闭,节约测试案例的仿真用时,提高验证效率;最后,根据不同测试案例所对应的验证目标,在测试案例中加入独立覆盖组,以保证功能验证的完备性。本文所设计的FLASH芯片的最终覆盖率达到92.59%,并成功流片。从成片测试的结果可知,与目前通用的FLASH芯片相比,在擦写操作性能方面有较大的提升,32K Words的擦除用时由1.2s缩小到0.59s,32 Words写入用时由384μs缩减到241μs。