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聚吡咯（PPy）作为一种导电聚合物，具有特殊的分子结构和优异的物理化学性能，在多个领域具有广泛的应用前景。但在实际操作中，PPy同其他导电聚合物一样，稳定性不好，力学性能差。在本论文中，我们尝试制备了三维大孔结构（3DOM）的PPy及其复合材料，并将应用于原电池构建及超级电容器中。最后我们尝试用环糊精（CD）修饰氧化石墨烯（GO），为进一步制备PPy/GO复合材料提供了工作基础。（1）3DOM结构的PPy膜的合成：在这章内容中，我们成功在乙腈溶液中合成高度有序的[bmim]PF6掺杂的3DOM结构的PPy膜。我们发现非3DOM结构的PPy膜在pH7.0的磷酸缓冲溶液（PBS）中的循环伏安扫描的过程中，掺杂在PPy膜中的PF6-离子不断从PPy膜中脱去，导致PPy膜电化学活性一直降低直到完全失去。但如果是对于3DOM结构的PPy膜，在循环伏安扫描的过程中，虽然掺杂在PPy膜中的PF6-离子也不断从PPy膜中脱去，但PBS中的PO43-不断的掺杂进入3DOM结构的PPy膜，使得3DOM结构的PPy膜一直保持了一定的电化学活性。最后，我们使用3DOM结构的PPy膜作为正极，构建了一个环境友好型的原电池。这个原电池的开路电势可以到达0.487V，并可以保持几百小时的稳定输出。（2）3DOM结构的多壁碳纳米管（CNT）/PPy复合材料的制备：我们采用循环伏安法，制备了具有高比电容的3DOM结构的CNT/PPy复合材料。3DOM结构为CNT/PPy提供了大的比表面积。更重要的是，3DOM的高度有序的多孔结构，为离子进出提供了通道。我们所制备的3DOM结构的CNT/PPy复合物材料在扫度为5mv/s时比电容高达427F/g，说明3DOM结构在能大大增加材料的比电容。（3）CD-GO有机无机纳米复合材料的制备。我们采用CD修饰GO,并进行了初步的表征。