由于具有良好的光学特性,如荧光可控、光学稳定性等,半导体量子点在光电子器件和生物标记等领域良好的应用前景。本文以CdSe/CdS核壳结构量子点为研究对象,展开了以下几个方面的研究工作：首先,利用连续离子层吸附反应方案制备了大尺寸CdSe/CdS核壳结构量子点,通过对量子点的X射线衍射、荧光吸收谱、荧光寿命、荧光闪烁曲线的测量,研究了CdSe/CdS核壳结构量子点的微结构性质和光学性质与壳层厚度之间的关系。其次,利用电化学方法(循环伏安法)测量了CdSe量子点的循环伏安曲线,研究了其HOMO(最高占有分子轨道,即价带顶)、LUMO(最低未占有分子轨道,即导带底),并讨论了电化学禁带与光学禁带的依赖关系；还测量了CdSe/CdS核壳结构量子点的循环伏安曲线,实验发现在壳层变厚的情况下电化学禁带和光学禁带具有相反的变化趋势。最后,在高温下利用恒流泵慢速混合注入阴阳离子前驱体制备了纯纤锌矿相非闪烁的CdSe/CdS核壳结构量子点,利用紫外光刻技术制备了周期性的交叉Au电极,并对基于量子限制斯塔克效应的光学调制器件进行了初步研究。