基于CdSe量子点电致发光器件性能的研究

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量子点是一种理想的荧光材料,它可以通过控制其尺寸来调节发射荧光的波长,并且具有宽的激发光谱、窄的发射光谱、高的荧光量子产率、长的荧光寿命、颜色可调和光化学稳定性高等特殊性质,这些性质使得半导体量子点在各种光电器件、生物标识、单电子器件、以及存贮器等方面具有极为广泛的应用。研究量子点电致发光器件,提高其性能具有十分重要的理论意义和应用价值。本论文以量子点器件的电致发光性能为研究对象,为了提高量子点器件的发光性能,采取了以下两种方法:(1)插入氧化钼(MoO3)层作为电荷生成层来提高量子点器件的发光;分别制备了基础器件和插入氧化钼层的双叠层量子点器件,通过测试得到了两组器件的发光,相对于基础器件而言,插入插入氧化钼(MoO3)层作为电荷生成层来提高量子点器件的发光是可行且有效的,使电流效率从2.1cd/A提高到3.3cd/A。并进一步优化器件的结构,利用阴极PFN和阳极PEDOT:PSS的修饰,使量子点器件的性能进一步提高,其电流效率达到了5.1cd/A。(2)插入Ir (ppy)3:CBP层,将Ir (ppy)3作为有效的激子和能量给体,通过调整施主浓度和受体—给体的距离,使量子点器件的发光增强。制备了掺杂浓度5%-30%的器件,随着掺杂浓度的增加,量子点的发光先增强后减弱,且在低浓度下只观察到量子点发光,随着浓度的增加,Ir (ppy)3也开始发光。存在个合适的临界浓度15%使量子点的发光达到最佳值。同时还制备了掺杂厚度从8nm到35nm的一系列器件,发现Ir (ppy)3:CBP的临界厚度大约是在14nm到18nm,当厚度超过了这个临界厚度时,在Ir (ppy)3内形成的激子会发生辐射衰减。最后,本论文还研究了红、绿、蓝三种颜色的量子点混合器件电致发光的过程,混合器件是利用红、绿、蓝三种颜色的量子点按照1:1的比例两两混合,制备成结构为ITO/PEDOT:PSS/QDs/Al的器件。研究发现在一定电压范围内,单种量子点器件的发光强度随着电压增加持续上升,而混合量子点器件的发光出现了短波长下降,长波长上升的现象,表明当有外加电场时不同尺寸的量子点间产生了较高效率的能量转移。同时对混合量子点电致发光器件能量转移的各项参数进行了计算,得到了能量转移效率E、临界能量转移距离R0与外加电场的关系,对制备白光量子点电致发光器件具有指导意义。
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