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氮化硼(BN)具有较好的抗氧化性、抗热震性和化学稳定性,并且具有与石墨相似的六方片层结构,是纤维增韧陶瓷基复合材料(CMCs)中界面材料的首选,用于改善复合材料的热稳定性和力学性能。在众多BN界面涂层的制备方法中,化学气相沉积法(CVD)所得涂层均匀致密,连续性好,且涂层与基底间结合紧密,沉积速率快,质量稳定,对基体纤维的损伤较小,因而CVD法被广泛应用于高质量BN界面涂层的制备中。但是在CVD-BN界面涂层制备过程中,工艺不稳定是当前存在的一个主要问题,这是由于高温沉积过程中硼源和氮源反应速率较快且反应复杂,不能准确分析其沉积机理,导致沉积过程不易控制。另一方面,在得到稳定的CVD-BN制备工艺之后,如何提高BN的结晶度也是一个值得关注的问题。本文主要围绕CVD-BN的制备工艺,研究了工艺参数对BN涂层沉积的影响,分析了CVD-BN的沉积机理,并研究了热处理温度对BN界面涂层结构的影响,取得了以下研究成果:1.以三氯化硼(BCl3)和氨气(NH3)为硼源和氮源,采用等温等压CVD工艺研究了沉积参数对涂层沉积速率的影响。结果发现,调整沉积参数,涂层沉积速率发生显著变化,通过对比试验,获得了一定范围内的最佳工艺参数,即沉积温度为650℃、滞留时间为0.24 s。2.对CVD-BN沉积过程进行深入分析,结合热解碳CVD沉积过程的研究和BN沉积速率变化图,对沉积过程中气相反应和表面反应进行简化,建立了相应的CVD-BN沉积模型。通过模型研究发现,BN不能由BCl3和NH3直接反应得到,而是通过气相中间产物在基底表面反应得到,气相反应和表面反应存在着竞争关系,并指出表面反应速率决定了BN的沉积速率,气相中间产物Cl2BNH2的存在有利于BN的沉积。3.分别采用CVD法和液相浸渍-氮化法在SiC纤维表面成功制得了BN界面涂层,对BN涂层的形貌、成分及结构进行了研究。XRD和TEM结果表明,改变CVD-BN热处理温度,随着热处理温度的升高,BN的结晶度增大。TGA分析和单丝拉伸实验表明,CVD-BN界面涂层的存在可以提高基底SiC纤维的抗氧化性,并且一定厚度的BN涂层对基底纤维拉伸性能的影响较小。通过两种制备方法对比,表明CVD法是制备均匀致密、连续性好的BN界面涂层的首选。本文研究了一种低温低压法制备BN界面涂层的方法,提出了制备高结晶BN界面涂层的工艺,并建立了相应的CVD-BN沉积模型,得到了一定范围内最优的工艺参数,为深入细致研究BN的沉积工艺提供了一种可靠的研究方法。