射频MEMS开关与目前射频系统中所使用的PIN二极管开关和MESFET开关相比,具有更低的插入损耗、更高的隔离度、更好的线性、更低的功耗和可应用频带更宽。利用射频MEMS开关可制作移相器、开关式滤波器、开关阵列等,应用于雷达、卫星通信、无线通信等系统中。本课题主要研究接触式射频MEMS开关的制作工艺及其直流特性。对接触式射频MEMS开关的电极、波导、触点、牺牲层、悬梁的制作工艺进行了研究,制作出射频MEMS开关样品,对开关的直流特性进行了测试和研究。研究金属的淀积和剥离工艺,解决了厚金的剥离问题,制作出金的厚度为2μm,信号线与地线之间的间距为8μm的波导;研究PECVD法生长氮化硅工艺,在牺牲层聚酰亚胺上生长出厚度为1μm的氮化硅,解决了在聚酰亚胺上生长氮化硅薄膜破裂的问题;研究ICP刻蚀氮化硅和等离子体刻蚀聚酰亚胺的工艺,成功地制作出悬梁,解决了释放牺牲层出现粘连的问题。本文用共聚焦显微镜测试氮化硅薄膜悬梁悬起的高度,确定出最适合接触式射频MEMS开关中使用的氮化硅生长工艺条件。用手动探针台测试接触式射频MEMS开关的通断特性,用显微镜测试开关的驱动特性,确定出开关的阈值电压为22-27V。用共聚焦显微镜测试开关加直流电压后的下拉高度,研究开关的悬梁在驱动电压下的弯曲程度及下降达到的最低位置。本文制作出的开关由于悬梁中存在残余应力,开关在加直流电压后触点不能下降到所需的高度与下电极接触,尚未实现开关的“导通”。