本文从半导体材料和能带结构出发,依据介观压阻效应的延伸效应—介观光电效应,对内建电场的产生机制做了详细的理论研究,主要讨论了PN结内建电场、晶体的压电场、铁电体的极化产生的内建场。首先从理论研究了纳结构半导体材料功函数调制所需条件,详细说明了半导体的费米能级,并简化了费米能级的计算公式。其次设计了两种非对称势垒和势阱,并模拟了透射系数随电子入射能量变化,分析了非对称条件下内建电场对外加偏压下隧穿电流的影响。通过实验测试了在外加应力作用下,不同晶向产生的内建电场对纳结构半导体量子能级的影响。最后得出了内建电场对功函数调制的可行性及两者之间变化成线性关系。综上所述,本论文从理论上研究了纳结构半导体内光电效应中内建电场对半导体功函数的影响并对其进行了调制,从而为后续实现THz光波诱导隧穿电流的发生提供一定理论依据。