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有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）被称为下一代显示技术。AMOLED与传统液晶显示器相比,具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸。同时,AMOLED也逐渐向柔性显示的方向发展。柔性显示技术要求薄膜晶体管不仅能够在玻璃基板上制备,还可以在塑料等柔性衬底上形成,并且在弯曲状态下仍能正常的工作。目前,在AMOLED上最有应用前景的薄膜晶体管（TFT）就是金属氧化物薄膜晶体管。金属氧化物薄膜晶体管（MO TFT）具有远高于非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT）的迁移率,并且其具有制备温度低,可见光波段透明度高等特点,因此被广泛使用。但金属氧化物在实际应用过程中稳定性较差,特别是基于柔性衬底的MO TFT更是如此。因此,在制备柔性TFT时一般会制备钝化层以保护器件性能。基于此,本论文提出一种采用分子自组装技术制备的自组装单分子膜作为钝化层,这种钝化层厚度仅2.2nm,同时又能达到良好的钝化效果。因此,本文利用射频磁控溅射工艺制备铟锡锌氧（In Sn Zn O,ITZO）为有源层的TFT,采用磷酸正十八酯自组装单分子层作为钝化层的方式优化TFT的性能,改善TFT的电学性能和稳定性。同时,本设计采用的制备工艺温度相对较低,适用于在柔性衬底上制备,得到柔性薄膜晶体管,以应用于柔性电子器件。本论文的主要研究工作包括以下内容:1.采用射频磁控溅射方法制备柔性ITZO TFT器件,研究了性能较优且重复性较高的制备工艺,控制退火温度不超过350℃,为在柔性衬底上制备提供了可能性。得到的柔性ITZO TFT器件载流子迁移率为15.05cm2V-1s-1,阈值电压为-1.4V,开关电流比为1.01×107,亚阈值摆幅为0.50V/dec。采用溶液法制备磷酸正十八酯自组装单分子层作为钝化层,以提高柔性ITZO TFT器件的器件性能与电学稳定性。制备出的具有磷酸正十八酯单分子层作为钝化层的柔性ITZO TFT器件的载流子迁移率为18.60cm2V-1s-1,阈值电压为-0.6V,开关电流比为4.32×107,亚阈值摆幅仅为0.19V/dec。2.分别对未做钝化的柔性ITZO TFT器件与采用磷酸正十八酯自组装钝化层的柔性ITZO TFT器件进行低频噪声测试以及分别施加正负偏压应力下的稳定性测试。低频噪声分析结果表明采用钝化的柔性ITZO TFT器件的低频噪声有一定程度的减小。对比未做钝化的柔性ITZO TFT器件与采用钝化的柔性ITZO TFT器件的正偏压应力下（PBS）的测试结果,表明器件在采用钝化之后在PBS下稳定性得到了较为明显的提高。对比未做钝化的柔性ITZO TFT器件与采用钝化的柔性ITZO TFT器件的负偏压应力下（NBS）的测试结果,未做钝化的器件在NBS下即具有较良好的稳定性,在采用钝化之后稳定性的提高效果不甚明显,同时并未影响到器件原本的良好的稳定性。综合考虑,证明了磷酸正十八酯分子自组装钝化对器件稳定性的提高有一定效果。3.采用Y函数法,从线性状态下的转移特性曲线中分别对未做钝化的柔性ITZO TFT器件与采用磷酸正十八酯自组装钝化层的柔性ITZO TFT器件的接触电阻进行提取,提取结果显示,采用磷酸正十八酯自组装钝化层的柔性ITZO器件的源漏接触电阻更小,因而沟道电流更大,进一步影响器件的迁移率更大。研究结果表明,本论文提出的基于分子自组装钝化层的柔性铟锡锌氧薄膜晶体管具有较为良好且稳定的器件性能。对于应用在下一代柔性显示器及其他领域,其优越的器件性能将带来广阔的发展前景。