自上世纪90年以来,迅猛发展的信息技术(IT)巨大地改进了人们的生活,作为信息技术基础的集成电路(IC)和信息技术之关键技术的通讯技术越来越受到重视。以3G为代表的通信技术满足了人们对通信质量日益增长的要求,同时也对集成电路特别是功率集成电路提出了更高的要求。如何进一步提高应用于3G基站中的功率器件的频率和功率是我们面临的重大课题。SiC因其优良的材料特性是制作高频、大功率器件优良材料。本文就对SiC材料中综合性能最好的4H-SiC材料的MESFET的频率、功率特性做了详尽的研究。通过理论分析和MEDICI模拟验证,得到了一系列器件的器件频率、功率特性与器件的几何、物理参数的关系曲线并设计出了具有?T达18.62 GHz和Pmax为25.41W/mm的器件结构。这些曲线可为该器件的研制开发者根据自己的工艺条件设计性能更加优化的高频功率4H-SiC MESFET提供参考与指导。另一方,由于传统硅材料工艺成熟、其上制作器件与现有硅IC的集成性好、其MOS器件较双极器件的一系列优点以及LDMOS优良的频率线性特性都使得微波硅LDMOS是微波功率器件的首选研究器件。本文在现有RF LDMOS基础上,把主要应用于纵向结构器件的复合缓冲层(CB)的概念试探性地引入到横向RF LDMOS,并对嵌入CB-layer的 RF RESURF LDMOS器件做了理论分析和模拟验证,发现新型的具有CB结构的RF RESURF LDMOS器件相对未引入CB结构的器件,有效地降低了导通电阻(约28%),而且其击穿特性、频率特性几乎不变。综上所述,SiC MESFET(甚至将来材料特性研究成熟后的SiC MOSFET)是理想的高温微波大功率器件,不过因现阶段其材料、工艺的不成熟,在3G Hz左右的微波低端应用领域,新结构特别是带CB结构的硅材料LDMOS器件仍是十分实用的微波功率器件,有着极大的市场应用前景。