为了实现超过1Tbits/in2的磁记录密度,同时保证具有高的信噪比和热稳定性,必须研制具有更高矫顽力的垂直磁记录介质。SmCo系列薄膜具有相当大的矫顽力、高的磁各向异性常数与较大的饱和磁化强度,可能会成为未来超高密度磁记录材料的首选。本文所做的主要研究工作概括如下:采用磁记录的基本理论研究了磁记录目前面临的极限挑战,同时讨论了由于热扰动造成的信噪比衰减问题。采用简化的Arrhenius-Neel方程导出了SmCo5薄膜的稳定颗粒尺寸;通过对过渡区展宽的分析得出,提高矫顽力能克服记录介质内退磁场的不利影响;通过对信躁比和面密度的分析发现,高取向性记录介质有利于提高磁记录的面密度。实验上,通过射频(RF)磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了SmCo / Cu系列薄膜。系统研究了各种溅射工艺参数对薄膜磁性能的影响,成功制备了矫顽力高达2800 Oe的溅射态SmCo / Cu面内磁化膜。加入Cu底层可显著增大SmCo薄膜的矫顽力。同时,还探讨了基片温度、薄膜厚度与溅射功率对Cu底层织构的影响,溅射制备了具有高度(111)择优取向的Cu底层薄膜。最后,对SmCo / Cu垂直各向异性薄膜进行了制备工艺的初步研究,发现磁性层的溅射功率与Cu底层的加热温度可以影响SmCo / Cu薄膜的矫顽力,并成功制备了垂直膜面方向矫顽力达到6025 Oe的SmCo / Cu薄膜。