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学位论文
FLASH存储器的编程特性和可靠性研究
FLASH存储器的编程特性和可靠性研究
来源 :清华大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wei71
【摘 要】
:
该论文研究了EEPROM/FLASH的结构,工作特性和改进可靠性的方法.分析了编程过程中浮栅电位,同时讨论了单元Ⅰ-Ⅴ曲线的特性.利用MEDICI软件模拟了单元在擦写过程中的FN电流和
【作 者】
:
苏昱
【机 构】
:
清华大学
【出 处】
:
清华大学
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
FLASH
FN电流
GGO
带带隧穿
电荷泵法
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该论文研究了EEPROM/FLASH的结构,工作特性和改进可靠性的方法.分析了编程过程中浮栅电位,同时讨论了单元Ⅰ<,ds>-Ⅴ<,ds>曲线的特性.利用MEDICI软件模拟了单元在擦写过程中的FN电流和阈值电压的变化,为确定擦写工作电压和工作时间提供了依据.
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