【摘 要】
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新兴产业对信号基板载体要求介电损耗更低、耐候性稳定、介电常数更精准,高频覆铜板因具有更优异的性能而得到迅猛发展。论文以聚四氟乙烯（PTFE）树脂为基体,陶瓷粉体为填料,电子级玻纤布为架构,研究了陶瓷填料种类、陶瓷填料添加量、偶联剂的种类、压层工艺等对PTFE基陶瓷复合玻纤布高频覆铜板的性能影响。最终研制出介电常数2.65～10系列化、介电损耗小于等于0.0025、吸水率小于0.06%、铜箔剥离力大
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新兴产业对信号基板载体要求介电损耗更低、耐候性稳定、介电常数更精准,高频覆铜板因具有更优异的性能而得到迅猛发展。论文以聚四氟乙烯（PTFE）树脂为基体,陶瓷粉体为填料,电子级玻纤布为架构,研究了陶瓷填料种类、陶瓷填料添加量、偶联剂的种类、压层工艺等对PTFE基陶瓷复合玻纤布高频覆铜板的性能影响。最终研制出介电常数2.65～10系列化、介电损耗小于等于0.0025、吸水率小于0.06%、铜箔剥离力大于等于2.5 N?mm-1的PTFE基高频覆铜板。通过不同陶瓷填料种类（二氧化硅、钛酸镁、钛酸钙锶）、陶瓷填料添加量的系列试验研究,得到高频覆铜板介电常数与填充的陶瓷填料介电常数的关系是成正相关,与陶瓷填料添加量先成正相关后成反相关。当二氧化硅、钛酸镁、钛酸钙锶质量分数分别为20%、30%、45%时,即为PTFE高频覆铜板的DK2.65、DK4.3与DK10.2三种系列的产品。不同型号的偶联剂对高频覆铜板性能的改善效果有较大差异,其中钛酸酯偶联剂（型号S201）改性钛酸钙锶效果最好。用5%的PFA与PTFE共混改性的高频覆铜基板性能最佳。钛酸镁陶瓷填料煅烧温度为1360℃制备的高频覆铜基板性能最优。PTFE、钛酸镁、二氧化硅高频覆铜板的最佳层压工艺参数均为:层压压强为5 MPa、层压温度为370℃、层压最高保温时间为90 min。根据微带天线客户要求,采用仿真软件设计计算PTFE基陶瓷复合玻纤布高频覆铜板的微波介电特性、板厚与板面尺寸等参数,通过样品制作与测试,得到仿真计算与实际测试结果相符,并得到客户确认。
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