射频反应溅射法制备SnO2薄膜及其工艺研究

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SnO2属于n型半导体材料,具有良好的附着性及化学稳定性,因此,可以沉积在玻璃、陶瓷、氧化物以及其它种类衬底材料上。SnO2熔点较高,透射性好,不易与空气中氧和水蒸气发生反应,具有较高的比容量和良好的循环性能。随着纳米技术的发展,利用SnO2透明导电薄膜制成的气敏传感器被广泛应用于检测各种有害气体、可燃气体、工业废气和环境污染气体。SnO2薄膜还用于薄膜电阻、电热转换薄膜、热反射镜、SIS结构异质结。目前研究较多的还有全固态薄膜锂离子电池阳极材料。另外也用于玻璃及玻璃器皿的表面保护层。本文利用国产OLED多功能多元镀膜系统,选用纯度为99.99%的锡靶材,在氩气与氧气比为4:1的混合气体、溅射压强为0.3Pa的气氛中,以200W的溅射功率,在240°C的玻璃基片上,采用射频反应溅射法制备SnO2纳米薄膜,获得了具有良好择优取向的SnO2纳米薄膜。对制备的薄膜在400°C温度下经60min退火处理,并利用D/max-rB型X射线衍射仪对退火前后薄膜进行了XRD分析,发现薄膜在退火前即为多晶的金红石结构,经过分析计算可以看出退火后晶粒有所长大。并用Nano ScopeⅢ型原子力显微镜分析了退火前后薄膜的表面形貌,发现退火后的薄膜质量明显提高,薄膜变的更加致密。用WGD-3型组合式多功能光栅光谱仪测得退火后薄膜的透光率为90%,而退火前薄膜透光率仅为80%左右。利用FEI Sirion扫描电子显微镜对薄膜进行了能谱分析,得出薄膜中O元素和Sn元素比例接近2:1。通过以上实验对薄膜做出分析,进而得出最佳溅射工艺。
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