【摘 要】
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本文针对正装结构氮化镓发光二极管，在发光亮度方面进行一系列研究，借此能够找出最佳的方法来提高发光亮度。文中，研究对比了镍金合金薄膜和氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜的
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本文针对正装结构氮化镓发光二极管，在发光亮度方面进行一系列研究，借此能够找出最佳的方法来提高发光亮度。文中，研究对比了镍金合金薄膜和氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜的穿透率和片电阻率特性，同时采用不同的氧化铟锡材料和制程条件进行对比实验，以期获得最佳氧化铟锡薄膜结果。另外，选取平面结构、表面粗化结构和图形衬底结构的氮化镓发光二极管外延片进行芯片制程对比实验，探讨不同结构外延片对于发光亮度的差异。
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