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本文采用了提拉法生长出了掺杂低浓度Yb3+的Yb:YVO4和Yb:YxLu1-xVO4晶体,探索了生长工艺。对晶体进行了表征,研究了Yb:YxLu1-xVO4晶体的缺陷、光谱和激光性能。介绍了钒酸盐粉料制备的方法及工艺流程。详细的介绍了晶体的生长方法(提拉法)、生长装置、生长流程和生长工艺。通过对纯度为99.99%的YVO4、LuVO4和YbVO4多晶粉料按一定化学计量比进行混合,利用提拉法分别沿a轴和c轴成功地生长出了大尺寸、无开裂的Yb:YVO4单晶和Yb:YxLu1-xVO4(30x24x20mm3)混晶。对Yb:YVO4和Yb:YxLui1-xVO4晶体进行了XRD粉末测试,进行了结构表征。通过浮力法测得了Yb:YxLu1-xVO4晶体的密度。对Yb:YxLu1-xVO4晶体采用化学腐蚀和光学观察的方法进行了缺陷的研究,在晶体(100)面观察到了矩形的腐蚀坑,验证了晶体的各向异性和(100)面四次对称性,计算了位错密度。并讨论了Yb:YxLu1-xVO4晶体中散射颗粒的成因和预防措施。研究了Yb:YxLu1-xVO4晶体的光学性质。测得了Yb:YxLu1-xVO4晶体(100)面的吸收谱和荧光谱,通过Judd-Ofelt理论计算了π偏振和σ偏振的吸收截面。测量Yb:YxLu1-xV04晶体的吸收带范围在850～1200nm,且在985nm处吸收最强,计算了Yb3+低掺浓度下π偏振985nm处的吸收线宽,较YVO4和LuVO4的大。介绍了发射截面的两种计算方法,并做了比较,计算出了985nm处的发射截面。分别测量和计算了Yb:YxLu1-xV04晶体的荧光寿命,并进行了对比。简单介绍了Yb:YxLu1-xVO4晶体的激光性能,以Yb:YxLu1-xV04晶体作为工作物质,在室温下,获得了波长为1022-1033nm的连续激光输出,且都在1027nm处有一个最高峰。