随着第三代半导体的蓬勃发展,氮化镓（GaN）在LED照明领域具有重要作用。目前GaN基LED外延生长主要使用的金属有机物化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）技术。石墨基座作为MOCVD设备的重要耗材,在使用过程中容易受到反应气体NH3的腐蚀而掉粉失效,因此需要在石墨基座表面制备涂层。碳化硅（SiC）涂层由于良好的抗氧化性、抗热震性、导热性、化学稳定性,且与石墨基座热膨胀系数相匹配,因此成为石墨基座表面涂层的首选材料。本文以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3,MTS）为原料,采用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）技术,基于MTS-H2反应体系,在石墨基体表面制备SiC涂层。第一部分实验在不同的参数下制备SiC涂层,研究沉积位置、沉积温度、H2与MTS流量比以及沉积压力等工艺参数对涂层的影响规律。第二部分实验首先对石墨基体进行氧等离子体表面改性,然后进行SiC涂层的制备,通过XRD、SEM、Roman、纳米压痕、氧化分析以及热震分析等手段,探讨出石墨表面氧等离子体改性对CVD SiC涂层性能的影响。本论文通过研究得出:随着石墨基体距离进气口距离越远,CVD SiC涂层沉积速率越低,SiC晶粒的＜111＞择优取向性减弱,涂层致密性降低。随着沉积温度上升,CVD SiC涂层沉积速率逐渐提高SiC晶粒＜111＞择优取向生长增强,但当沉积温度达到1300℃时,SiC晶粒发生破碎,CVD SiC涂层致密性下降;随着沉积压力的提高,CVD SiC涂层的沉积速率先提升后下降。SiC涂层形貌由尖顶状转变为沙砾状,CVD SiC涂层的致密性不断下降;当H2/MTS流量比较低时,由于H2浓度较低,MTS分解出碳的前驱体较多,CVD SiC涂层中出现较多的游离碳。随着H2与MTS流量比升高游离碳逐渐减少,涂层致密性提高。但当H2/MTS流量比达到4.5时,涂层致密性反而下降。此外,本论文还得出:在对石墨基体进行氧等离子体处理后,石墨基体表面活性提高,有利于沉积反应的进行,提高CVD SiC涂层的致密性。此外经过氧等离子体处理后,石墨基体表面亲水性含氧官能团数目增多,有效提高石墨基体表面的亲水性以及吸附性,能够提高CVD SiC涂层与石墨基体之间的结合强度。石墨表面在经氧等离子体处理后,CVD SiC涂层试样的显微硬度、杨氏模量、抗氧化性以及抗热震性均得到明显提高。