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本文采用化学气相沉积方法合成了碳化硼和氧化钨纳米线，并用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、选区电子衍射、X射线衍射、拉曼光谱、荧光光谱、场发射测试等多种分析测试手段，对所制备的碳化硼和氧化钨纳米线的结构和性能进行了表征，得到以下研究结果：
（1）以B/B203/C/Fe粉末为原料，以水溶性Fe3O4纳米颗粒为催化剂，首次在比常规温度较低的生长温度下生长出较细的碳化硼纳米线。实验发现在60 sccm Ar气的保护下，于1000℃的温度下生长2小时，在硅基底制备出大面积高密度（布满整个硅片）的碳化硼纳米线，纳米线长度达20 μm，直径为10-30 nm。
（2）用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对碳化硼纳米线结构和形貌进行表征的结果表明，利用化学气相沉积法所制备的碳化硼纳米线薄膜的分布均匀，具有高达1000的长径比，且具有很好的单晶结构。碳化硼纳米线薄膜场发射性能测试的结果显示，其开启电场和阈值电场分别为10 V/μm和13.5V/μm，具有良好和稳定的场发射特性。
（3）以商用三氧化钨粉末为原料、以Au纳米颗粒为催化剂，于0.8 MPa的真空条件下，900℃的温度下，用简单的化学气相沉积设备，首次在硅基底上生长出一种“骨状”氧化钨纳米线，其长度为50-60 μm，直径约50.100 nm。高分辨透射电子显微镜、选区电子衍射分析、X射线衍射分析结果显示，其结构为W18O49单晶，拉曼光谱印证了其W18O49晶相结构。场发射测试结果显示其开启电场和阈值电场分别为7.5V/μm和9.0 V/μm，说明这种骨状纳米线构成的薄膜具有优良和稳定的场发射性能。