作为过渡金属元素，钒可以和氧以V_xO_y形式结合成多种氧化物。各种氧化钒薄膜以其优良的性能成为国内外功能材料研究的热点，具有广阔的应用前景。但由于钒的多价态，制备具有纯净化学计量比的氧化钒非常困难。本文利用真空蒸发—真空还原方法以高纯V₂O₅粉末为原料制备出纯度较高、结晶度好的几种主要的氧化钒薄膜（V₂O₅、VO₂（B）、VO₂（A）、V₂O₃），通过控制各个工艺参数（薄膜衬底材料、薄膜厚度、真空度、衬底温度、蒸发电流、蒸发时间、退火时间、退火温度等）来探索最佳制备条件，并运用各种测试方法对薄膜性能进行分析，研究各工艺参数对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌、V离子价态及电学性质等方面的影响。经过多次实验取得了一定成果。本论文的研究工作如下： 1．研究了衬底温度和衬底材料对薄膜晶体结构和电阻温度系数的影响。发现衬底温度对退火后薄膜的晶粒生长影响不大。而单晶衬底利于氧化钒薄膜生长，且制备的薄膜较非晶衬底具有较高的电阻—温度系数。 2．研究了退火温度对氧化钒薄膜制备的影响。发现随退火温度升高，薄膜先后经历了单斜晶系VO₂（B）型→单斜晶系VO₂（A）型→四方晶系VO₂→V₂O₃的变化，并对VO₂薄膜进行深入研究。研究发现，三种VO₂薄膜中V均以V⁴⁺为主，且VO₂（A）型薄膜中V⁴⁺含量最高。薄膜电阻以退火温度460℃时为分界，低于460℃时，VO₂（B）型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度升高而增大，高于460℃时，四方晶系VO₂薄膜电阻及其电阻温度系数随退火温度升高呈现相反的趋势。在460℃时，薄膜的电阻温度系数最大，能达到3.2％／℃．经查新说明，使用这种工艺方法和条件制备各种氧化钒薄膜是本工作的创新。