薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）作为当前主流的显示技术,已经经过了近30年的发展,发展出几个不同的技术方向,分别为高温多晶硅、低温多晶硅和非晶硅技术。每种技术都具有一定的优劣势,应用最广泛的当属非晶硅技术。非晶硅凭借其在制作成本、技术成熟度及产品品质方面的巨大优势迅速占领了绝大部分的市场份额。为了保证产品可通过可靠度测试,需要提前验证其在实际使用过程中可能会发生的问题,本论文主要研究在可靠度测试过程中薄膜晶体管液晶显示器发生蓝色斜纹的原因及对应的改善方案。蓝色斜纹的产生主要是由于红绿蓝三色像素的阈值电压V_th偏移量不同,导致不同画素的漏电量差异较大。而V_th的产生主要有两个因素,第一个是因非晶硅半导体层与绝缘层的应力不匹配而在其界面处导致的缺陷态,并且非晶硅膜层或栅绝缘层本身的硅-氢（Si-H）键、硅-硅（Si-Si）键以及氮-氢（N-H）键均可能发生断裂而出现缺陷态。第二个是由于4道工艺缺陷,在长期栅电压负压的作用下导致的V_th偏移。根据V_th偏移发生的原因本论文提供了两种解决方案,主要内容如下:1.通过膜质的改善,降低非晶硅与绝缘层界面的缺陷态数量,并结合4道光罩技术（4 mask）背沟道制作工艺之后的氧离子O₂处理,制定了标准的工艺参数为上下电极能量4 KV/4 KV,压力100 m Torr处理时间70 s,同时在Si N_x成膜之前先用氢气进行处理降低了悬空键数量。这些有效减少了膜层的缺陷态密度以及V_th的偏移量。2.导入阵列基板制作支撑柱（Photo Spacer on Array,POA）工艺,当施加的力一定时压强与受力面积成反比,而支撑柱（Photo Spacer,PS）的上下底面积差异较大,POA工艺中PS对TFT的压力可降低为原本的1/4左右。POA工艺降低非晶硅半导体层和绝缘层之间的应力,抑制缺陷态的产生,降低V_th的偏移量。两种解决方案均通过了可靠度验证,并通过实验数据制定了工艺流程管控方式和标准设计方案。本论文的研究成果将为今后TFT-LCD画面品质的改善提供有力的理论与技术保障。