等离子体因其特殊的物理化学性质,已在工业中得到广泛使用。典型的工业应用有:等离子体刻蚀、镀膜、表面改性、喷涂、烧结、冶炼、加热、有害处理等。其等离子体产生方式主要有容性耦合等离子体源（CCP）、感性耦合等离子体放电（ICP）等。作为一种新型的高密度等离子体源（螺旋波等离子体源,HWP）近年来已经引起了国内外研究者的广泛关注。本文的主要工作涉及三个方面,一是对实验室的螺旋波放电系统进行优化,包括射频天线冷却系统的优化、匹配系统的优化、外加磁场冷却系统的优化、气路系统的优化;二是基于优化的放电系统进行Ar/CH₄气体放电研究,首先研究了射频功率和磁场强度对Ar/CH₄气体放电等离子参数（电子温度、电子密度、活性基团、离子能量）的影响,最后研究了Ar/CH₄气体放电制备碳类薄膜与等离子参数的关系。优化后的射频天线冷却和磁场冷却系统能够达到长时间（10min-45min）稳定螺旋波等离子体放电。研究发现射频功率的增加能够显著的增大等离子体的电子密度和电子温度,电子温度从300W时的4.25eV增加到1500W时的7.75eV,电子密度从300W时的0.510增加到1500W时的3.47 10。氩原子和氩离子谱线发射强度随射频功率增加而增强,射频功率的增加也提高了离子的能量。磁场强度的增加增大了等离子体的密度,发射光谱诊断发现等离子体中物质的含量（CH、、H巴耳末系、）随磁场强度增加到2074Gs时趋于饱和,质谱能谱诊断结果表明在不同磁场强度的条件下长时间Ar/CH₄螺旋波等离子体放电存在不稳定现象,我们发现在磁场强度为1841Gs时Ar/CH₄螺旋波放电相对稳定,有利于碳类薄膜的生长。