PT系铁电薄膜生长及其性能研究

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【摘要】

：

由于具有高的剩余极化强度、较大的热释电系数和介电常数,PT系铁电薄膜如锆钛酸铅Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)和钛酸铅PbTiO3(PTO)被广泛用于非易失性铁电存储器、铁电场效应晶体管、热释电红外探测器等器件。本文采用射频磁控溅射和分子束外延两种方法研究PT系铁电薄膜的生长工艺与晶相结构、表面形貌和电学性能的关系,探索并优化在低温低氧条件下生长高质量PT系铁电薄膜的工艺方法。首先,使用射

【作者】

：

张才建

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

射频磁控溅射分子束外延 PZT XRD 电滞回线

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