用解析方法研究了不对称液晶盒中挠曲电效应。给出了电压作用下系统的吉布斯自由能，它包含Frank弹性自由能，介电自由能，挠曲电自由能和界面自由能，其中锚定能采用修正后的RP公式，用变分方法导出了指向矢倾角θ满足的微分方程和边界条件。证明挠曲电效应导致一项新的表面能，这项自由能对上、下基板符号相反。这是挠曲电效应的直接结果。 根据θ满足的微分方程和边界条件，研究了液晶盒的基本性质，包括阈值电压和饱和电压。不对称液晶盒的基本性质，是指向矢分布对盒中央平面不再对称。引入参量Δ反映对称性破缺，研究了阈值点和饱和点的对称性破缺参量Δ_th、Δ_sat。以上这些物理量都与上、下基板的锚定能公式出现的参量以及挠曲电系数e₁+e₃有关。给出了它们之间的关系，并用数值计算方法作了详细研究。挠曲电效应对阈值电压、饱和电压和对称性破缺参量有重要影响。 作为本项研究结果的一个应用，本文提出采用不对称液晶盒可以用来测定液晶的挠曲电系数。具体方案为：采用劈形盒，施加三个不同电压U₁、U₂、U₃，测定相应的阈值厚度l₁、l₂、l₃；或用锚定强度A₁、A₂，完全相同的上、下基板，构造厚度分别为l₁、l₂、l₃的不对称液晶盒，分别测定阈值电压U₁、U₂、U₃。不论用何种方法，都将得到三组实验数据（l₁，U₁）、（l₂，U₂）、（l₃、U₃），从而可进一步得到相应的三个与A₁、A₂以及（e₁+e₃）的方程。解此方程组，可解得e₁+e₃。本文给出了计算挠曲电系数的具体方案，这是采用常规方法测定e₁+e₃的新方案。