本文主要研究了不同Si含量掺杂的Si Zn Sn O(SZTO)薄膜的制备与性能的研究、以及不同氩氧比条件下溅射所得SZTO薄膜的制备与其相关的性质的研究。氧化物半导体是一种具有半导体特质的氧化物。透明导电氧化物被广泛用作透明电极在光伏器件、平板和触屏显示器上。最受大家关注的是“透明非晶氧化物半导体(TAOS:Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)”。非晶氧化物半导体(AOS)由于其制备条件简单(可在低温下制备),电子迁移率较高等优点而受到研究者的广泛关注。由于氧化物半导体TFT的优越性能,因此它更适合作为驱动超高精细液晶面板、电子纸、有机EL面板等新一代显示器的TFT的基础材料。它还为“柔性”和“透明”等特点的电子元件提供原材料。随着研究的进一步发展,研究者开始对AOS材料体系进行掺杂来提高器件的工作特性及稳定性,其中Si元素的掺杂可以有效地抑制半导体材料中氧空位的形成,使器件稳定运行。所以研究Si掺杂的Zn Sn O薄膜变得越来越有意义。本文主要研究不同Si含量掺杂对SZTO薄膜性能的影响、探究同一Si含量不同氧气流量对SZTO薄膜性能的影响。我们采用射频磁控溅射法,以玻璃和石英作为衬底制备SZTO薄膜样品。用x射线衍射分析薄膜样品的晶体结构,用AFM观察样品的表面形貌,通过紫外分光光度计表征薄膜的光透性并计算其禁带宽度,使用荧光光谱仪表征薄膜光致发光谱等参数。研究结果表明:Si掺杂对薄膜非晶的形成没有明显的促进或者抑制作用,但Si掺杂可以减少缺陷生成,可以明显的改变光学禁带宽度。AFM研究表明Si掺杂使薄膜样品的平整度降低。Si掺杂浓度的升高PL谱的强度呈现出不同程度的增大,PL谱的展宽变宽,这表明Si掺杂的Zn Sn O薄膜样品中引入了更多的深能级缺。AFM观察样品的表面形貌结果发现氧气流量为0sccm时,得到样品的表面最平整,薄膜生长最均匀。透射谱测试表明氧气流量对薄膜样品的光学性质影响较为明显,当通入氧气流量为10sccm时可以显著增加薄膜的光学禁带宽度。PL谱测试表明,随着氧气流量的增加,薄膜的最强发光峰会出现先减弱后增强的趋势,当通入氧气流量为10sccm时可以较好的填补薄膜样品中的氧空位缺陷用,使其发光峰峰值降低。